रुड़की: आइआइटी (भारतीय प्रौद्योगिकी संस्थान) रुड़की के वैज्ञानिकों ने मेमोरी डिवाइस तकनीक में एक अभूतपूर्व कामयाबी हासिल की है। टीम ने अधिक घनत्व वाली ऊर्जा सक्षम फोर-लॉजिक स्टेट मेमोरी डिवाइस विकसित की है, जो कंप्यूटिंग की पूरी प्रक्रिया को काफी बढ़ावा दे सकती है। इससे वीडियो एवं मल्टी-मीडिया सिग्नल की प्रक्रिया, पैटर्न की पहचान, वर्चुअल रिएलिटी, आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस और मशीन लर्निंग जैसी मेमोरी-इटेंसिव प्रक्रियाओं में तेजी से बदलाव आएगा। 

संस्थान के भौतिकी विभाग और सेंटर फॉर नैनो टेक्नोलॉजी की प्रो. देवेंद्र कौर वालिया ने बताया कि मैग्नेटोइलेक्ट्रिक रैंडम एक्सेस मेमोरी नामक इस डिवाइस के लगभग सभी इलेक्ट्रॉनिक अपलांयसेज (स्मार्ट फोन, टैबलेट, माइक्रोप्रोसेसर और बड़े डाटा स्टोरेज) में भविष्य में इस्तेमाल होने वाले मेमोरी चिप्स में प्रयोग होने की पूरी संभावना है। प्रो. वालिया के अनुसार दुनिया तीव्र, छोटी और क्वांटम तकनीकों की ओर बढ़ रही है। ऐसे में अधिक सक्षम डिवाइस और तकनीक की मांग बढ़ना लाजिमी है। इसलिए उन्होंने फोर-लॉजिक स्टेट पर ध्यान केंद्रित किया। इसकी उपलब्धि के साथ हम ऐसी डिवाइस बना लेंगे, जिससे नई तकनीकी क्रांति की शुरुआत होगी। फोर-लॉजिक स्टेट मेमोरी डिवाइस का निर्माण संस्थान की फंक्शनल नैनो मटीरियल्स रिसर्च प्रयोगशाला में किया गया है। 

पावर न देने पर भी डाटा रहेगा बरकरार 

प्रो. वालिया ने बताया कि इसके लिए उन्होंने एक नए मटेरियल फेरोमैगनेटिक शेप मेमोरी एलॉय (एफएसएमए) का प्रयोग किया। साथ ही कंपोजिट बैरियर का कॉन्सेप्ट चुना। इससे फर्क करने योग्य मेमोरी लॉजिक स्टेट का लक्ष्य प्राप्त करना आसान हो गया। मौजूदा अल्टीमेट मेमोरी सेल के फंक्शन में लगभग 140 फीसद का बेहतरीन सुधार देखा गया है। बताया कि डिवाइस का मुख्य फीचर इसका फोर-स्टेट रेसिस्टेंस दिखाना है। जिसे इलेक्ट्रिक और मैग्नेटिक फील्ड दोनों में ट्यून किया जा सकता है। इतना ही नहीं यह मैग्नेटिक बिट्स को बदलने और मेमोरी में डाटा राइट करने के लिए बड़े इलेक्ट्रिक करेंट की जगह उच्च वोल्टेज का इस्तेमाल करता है। वर्तमान तकनीकों की तुलना में इसमें असामान्य निम्न ऊर्जा के साथ अधिक डेंसिटी, हाई स्पीड रीडिंग, राइटिंग टाइम्स और नॉन-वोलैटिलिटी का तालमेल है। वहीं, पावर नहीं दिए जाने के बाद भी इसमें डाटा बरकरार रहेगा।  

क्या है फोर-लॉजिक स्टेट मेमोरी डिवाइस 

अभी तक मौजूदा मेमोरी डिवाइस में जीरो या एक केवल दो ही स्टेट होते हैं। जबकि फोर-लॉजिक स्टेट मेमोरी डिवाइस में दो स्टेट की बजाय चार स्टेट होंगे। इस डिवाइस की एक और खासियत यह है कि इसे इलेक्ट्रिक और मैग्नेटिक फील्ड दोनों में ट्यून किया जा सकता है, जबकि, वर्तमान में जो डिवाइस हैं वे या तो इलेक्ट्रिक या फिर मैग्नेटिक फील्ड में ही ट्यून हो सकती हैं।